CupraEtch

Neueste Technologien, vor allem bei Feinstleiterbahnen /Abständen, verlangen nach einer immer besseren Haftung des Photoresist und der Lötstoppmaske. Herkömmliche Verfahren können diese Anforderungen hinsichtlich Micro Via und ultrafeinen Leiterzügen nicht mehr vollständig erfüllen. Bei diesen Verfahren mussten teilweise bis zu 2 bis 3 μm Kupfer abgetragen, oder zusätzliche Haftvermittler eingesetzt werden, die anschließend nur wieder schwer zu entfernen sind.

: Rasterkraftmikroskop-Aufnahme einer mit CupraEtch behandelten Kupferoberfläche

Optimale Oberflächentopographie für eine exzellente Haftung

CupraEtch ist ein einfach zu führender, dreistufiger Prozess mit geringen Prozesstemperaturen, der in den meisten Horizontalanlagen eingesetzt werden kann. CupraEtch verfügt über ein großes Arbeitsfenster mit gleichbleibender Oberflächentopographie innerhalb des Arbeitsbereichs der Kupferkonzentration. Aufgrund der chemischen Zusammensetzung greift CupraEtch bevorzugt die Kupferoberfläche an den Korngrenzen an und erzeugt dadurch die gewünschte gleichmäßige Rauhigkeit mit einer optimalen Ätztiefe von 1 bis 1,5 μm. Mit dieser optimalen Oberflächentopographie und den daraus resultierenden
Haftungseigenschaften gewährleistet CupraEtch eine optimal Ausbeute bei der Fertigung von Innen- und Außenlagen und bei Lötstoppmasken.

Eigenschaften und Vorteile

Optimale Oberflächentopographie
Exzellente Haftungseigenschaften
Einfacher, 3-stufiger Prozess
Einsetzbar in den meisten Horizontalanlagen
Großes Prozessfenster
Verbesserte Produktqualität und Ausbeuten
Reduzierte Produktionskosten