Spherolyte: Kupferführungssäule mit Nickel- und Zinnlagen
RDL Kontakt-Pad and umleitende Struktur
20 μm x 80 μm TSV-Struktur

Elektrochemische Abscheidung für Advanced Packaging: Spherolyte

Das Spherolyte-Portfolio beinhaltet Vorbehandlungslösungen, Basiselektrolyte und Additivsysteme mit drei Komponenten, die für die elektrochemische Kupferabscheidung bei Advanced Packaging- Applikationen verwendet werden. Spherolyte-Chemie für Kupfer bietet eine Vielzahl von Basiselektrolyten sowie Brightener, Carrier und Leveller Additive, um die Fülleigenschaften von Kupfer Pillars, Redistribution Layers (RDL) und Through Sillicon Vias (TSV) zu unterstützen. Spherolyte-Chemie für Nickel und Zinn wird als Diffusionssperre und für die Solder Joint Technologie verwendet.

Eigenschaften und Vorteile

Spherolyte-Produkte werden entwickelt, um die Anforderungen der Industrie an die Kupferabscheidung bei den Packaging-Technologien zu erfüllen. Die Prozessanforderungen variieren in Abhängigkeit von der Anwendung. Allerdings sind bestimmte Charakteristika für die Kupferabscheidung wesentlich, unabhängig von der Technologie. Spherolyte-Produkte erfüllen diese Anforderungen und haben bereits außergewöhnliche Ergebnisse bei der Beschichtung von RDL, Pillar und Bottom-up Filling von TSV erzielt.


Zuverlässige Metallabscheidung für Pillar und Redistribution Layer (RDL)

Kupfer

  • Optimale Schichtdickenverteilung bei der Kupferabscheidung und Within-Wafer (WIW) Uniformity
  • Hohe Stromdichte bei der Abscheidung für hohen Durchsatz
  • Zuverlässiger Gap-Fill für überragendes und stabiles Pattern Plating
  • Geringer Verzug / Bow und geringe innere Spannung
  • Niedere Oberflächenrauhigkeit

Nickel

  • Gleichmäßige Nickelverteilung für die Diffusionssperre
  • Geringe Porosität, hohe Duktilität
  • Gesteigerte Abscheidungsrate

Zinn

  • Feinkörnige Abscheidung
  • Geringe organische Verunreinigungen / Einbauten
  • Unterdrückte Whiskerbildung


Schnelle und blasenfreie Füllung von Through Silicon Vias (TSV)

  • Effizientes Bottom-up Fill von TSV mit einem hohen Aspektverhältnis
  • Minimales Overburden mit gleichmäßiger Schichtdickenverteilung
  • Void-freie Kupferabscheidung in den feinsten Strukturen
  • Geringe Fehlerdichte nach CMP