Cylindre de cuivre Spherolyte avec couches de nickel et d’étain
Pad de contact RDL et structure de re-routage
Structure TSV 20 µm x 80 µm

Déposition électro-chimique pour micro-encapsulation de haute technologie : Spherolyte

La gamme Spherolyte comporte des solutions de pré-traitement, des électrolytes de base, et des systèmes additionnels à trois composants utilisés pour la déposition électro-chimique du cuivre dans les applications de micro-encapsulation de haute technologie. Les chimies de cuivre Spherolyte incluent une variété d'électrolytes de base, tels que brillanteurs, « carriers » et nivelants qui permettent d'améliorer les performances de remplissage des structures en cylindres de cuivre, de la couche de redistribution (RDL), et les trous traversants sur silicium (TSV). Les chimies à base de nickel et d'étain Spherolyte sont utilisées comme barrière de diffusion et pour le brasage.

Caractéristiques et avantages :

Les produits Spherolyte sont conçus pour satisfaire les exigences de l'industrie en ce qui concerne le cuivre déposé dans les technologies de la micro-encapsulation. Les spécifications de procédés varient en fonction des applications ; cependant, il existe certaines caractéristiques du cuivre déposé qui sont essentielles, quelle que soit la technologie. Les produits Sphérolyte satisfont ces exigences, et ont démontré des résultats exceptionnels pour la métallisation de RDL et des structures cylindriques, ainsi que le remplissage par le fond des TSV.


Déposition fiable du métal pour cylindre et couche de redistribution

Cuivre :

  • Distribution de l'épaisseur de cuivre optimale et uniforme sur le « wafer » (WIW).
  • Métallisation à haute densité de courant pour une productivité élevée.
  • Propriétés fiables de remplissage des trous pour une qualité supérieure et une stabilité de la recharge.
  • Faible fléchissement et faible tension interne.
  • Faible rugosité de la surface de cuivre.

Nickel :

  • Distribution uniforme du nickel pour barrière de diffusion.
  • Faible porosité, haute ductilité.
  • Taux de déposition amélioré.

Etain :

  • Structure grain fin.
  • Peu d'impuretés organiques.
  • Formation de whiskers inhibée.


Remplissage rapide et sans vide des Vias sur du silicium (TSV)

  • Remplissage efficace par le fond des TSV à fort aspect ratio.
  • Surcharge minimale avec distribution des épaisseurs de cuivre uniforme.
  • Déposition de cuivre sans vide dans les petires structures.
  • Faible densité de défauts post-CMP.