処理前の銅表面
キュプラエッチ処理後

キュプラエッチ DT

高い塩素濃度
RMS = 279 nm;
Ra = 229 nm;
Rmax = 1.92 mm
RSAI = 41.0%

アトテックのキュプラエッチDTはプリントト回路基板製造におけるフォトレジストの密着性を向上させる画期的なプロセスです。超微細配線やマイクロビア等で回路形成がより複雑化したため、フォトレジストの密着性を最適化することが必要となっています。キュプラエッチDTは均一かつ微細な表面粗化を実現するシンプルな密着増強プロセスのため、フォトレジストに理想的な形状に仕上げます。また、キュプラエッチDTの使用により歩留まり向上と製造コストの低減も可能です。

キュプラエッチDTは水平搬送式コンベアースプレー装置用として開発されました。

特長と利点

  • 塩素に対する高い耐性
  • フォトレジスト(液状及びドライフィルム)への密着性向上
  • 最小限の銅エッチング(インピーダンスコントロール回路)
  • 高い銅溶解量
  • ライン&スペースの規格に理想的
  • 廃水が容易
  • 歩留まり向上しコスト低減
  • 薄板処理用水平搬送式装置に理想的