Spherolyte, pillar in rame con depositi di Ni e Sn
RDL - piazzola di contatto e struttura di re-indirizzamento
Struttura TSV da 20 μm x 80 μm

Deposizione Elettrolitica per packaging avanzati: Spherolyte

Il portafoglio Spherolyte comprende soluzioni per il pretrattamento, elettroliti e un sistema a tre additivi utilizzato per la deposizione elettrolitica di rame in applicazioni avanzate di packaging elettronico. La chimica per il rame Spherolyte comprende gli additivi di base oltre che brillantante, livellante e carrier specifici per la promozione di superiori proprietà di riempimento per strutture quali: pillar in rame, Strati di Re-Distribuzione ( Re-Ditribution Lyers - RDL) e fori di via su fette di silicio (Trough Silicon Via - TSV). I depositi di nichel e stagno Spherolyte sono soluzioni tecnologiche utilizzate come barriera di diffusione e per giunti di saldatura.

Caratteristiche e Vantaggi

I prodotti Spherolyte sono nati per soddisfare le richieste tecnologiche dell'industria del packaging elettronico per quanto riguarda la elettrodeposizione di rame. I criteri da soddisfare cambiano comunque in funzione delle applicazioni, anche se alcune caratteristiche del deposito di rame sono essenziali e prescindono dalla specifica tecnologia applicativa. I prodotti Spherolyte soddisfano queste caratteristiche e hanno dimostrato risultati eccezionali nella deposizione di strutture quali pillar e RDL, così come nel riempimento di TSV.


Deposizione affidabile di metalli per strutture Pillar e RDL

Rame

  • Distribuzione ottimale del deposito di rame e uniformità all'interno del wafer (within - wafer - WIW).
  • Applicabilità di alte densità di corrente e conseguente elevata produttività.
  • Affidabili proprietà di riempimento per una superiore e stabile elettrodeposizione in modalità pattern
  • Bassa distorsione e bassi sforzi interni
  • Bassa ruvidità superficiale

Nichel

  • Deposito di nichel uniformemente distribuito come barriera di diffusione
  • Bassa porosità, elevata duttilità
  • Alta velocità di deposizione

Stagno

  • Deposito a grana fine
  • Basso contenuto di impurezze organiche
  • Capacità di inibire la formazione di whiskers


Riempimento veloce e senza vuoti di Fori di Via su fetta di silicio – (Through Silicon Vias - TSV)

  • Efficiente riempimento dal basso di TSV con alto rapporto Spessore/diametro (Aspect Ratio).
  • Minima fuoriuscita del deposito dai bordi con uniforme distribuzione del deposito di rame.
  • Deposito senza vuoti anche nelle strutture più piccole.
  • Bassa difettosità dopo CMP - Planarizzazione Chimico - Meccanica