
Технология субстратов ИС
В ближайшие годы годовые поставки субстратов ИС по оценкам превысят 200 млрд. единиц. Эта положительная тенденция исходит от потребности заказчиков во все более возрастающем наборе передовых технологий сборки. Такие технологии включают вейферную горизонтальную сборку, штапельную сборку, систему корпусирования и сборки «system-in-package» (SIP), систему «system-on-package» (SOP), и многое другое.
Субстраты: PGA, BGA, FBGA, и DSBGA прикрепляются к субстрату. Субстрат заменяет выводную рамку в качестве посредника между кристаллом и печатной платой. Субстрат может быть изготовлен из различных материалов, включая смолу BT, FR-4, FR-5, керамику и полиамидную гибкую ленту. У субстрата обычно имеются шарики или штырьки на нижней стороне, которая прикрепляется к печатной плате. На рис.
В настоящее время дифференциальный подход к технологии субстратов реализуется посредством фотолитографических и прямых лазерных методов нанесения схемы. Хотя эти усилия способствовали устойчивому улучшению конфигурации до 20µm в длительности и зоне сигнала, первостепенная проблема загруженности зоны в 3D плоскости и электрическая эффективность до сих пор до конца не решена. Даже с полным принятием лазерных глухих переходных отверстий в массовом производстве, остается основная проблема, как уменьшить общее посадочное место субстрата в трехмерном плане, сохраняя электрическую эффективность и целостность.
Компанией Atotech и ее партнерами по развитию был разработан новый метод производства субстратов ИС. Он не только позволяет миниатюризировать сигнал до 10µm, но также дает возможность значительного сокращения слоев в настоящих конструкциях, сохраняя при этом электрическую целостность и эффективность всего корпуса ИС.
Применение новых технологий и решений – главная цель компании Atotech и всех наших сотрудников во всем мире. Используя наши знания в поддержке Вашего производства субстратов ИС для каждой отрасли, Вы всегда можете связаться с нами для обсуждения наших процессов и производственных технологий для Ваших специальных нужд.
Читайте подробнее на наших страницах:
- Ведущие технологии очистки ПО от отходов сверления
- Горизонтальное химическое нанесение медного покрытия для САП
- Вертикальное химическое нанесение медного покрытия для САП
- Горизонтальное гальваническое нанесение покрытия для наполнения канавок сверхузких межслойных переходов - Технология Via²
- Горизонтальное импульсное нанесение гальванического покрытия для наполнения сквозных отверстий
- Вертикальное гальваническое нанесение покрытия с постоянным током для наполнения глухих переходных отверстий ИС
- Нетравильный катализатор адгезии для усовершенствованных корпусов
- Раствор для удаления резиста в сверхузких межслойных переходах для усовершенствованных корпусов
- Ni/Pd/Au в качестве финишного покрытия для усовершенствованных корпусов
- Иммерсионное олово в качестве финишного покрытия для усовершенствованных корпусов
- Усиленная / покрытая смолой медная фольга для усовершенствованных корпусов
