![]() |
![]() |
![]() |
Mạ đồng mạch nối trong Damascene: Everplate
Sản phẩm Everplate bao gồm các dung dịch mạ điện và phụ gia đặc chủng cho hệ thống công nghệ node có độ tinh khiết trung bình và cao cho đồng mạ điện cho mạch nối trong Damascene. Giái pháp quá trình Everplate thích hợp cho wafer dày 200 và 300mm và công nghệ node 45mm. Sản phẩm Everplate thế hệ tiếp theo hiện đang được phát triển tại CNSE cho công nghệ node 32 và 22 nm.
Mạ điện cho đồng có độ tinh khiết cao
Dung dịch mạ điện Everplate thích hợp với dải nồng độ đồng và axit cho tối ưu hóa thiết bị và kiểm soát quá trình, được điều chỉnh cho phù hợp với các yêu cầu áp dụng. Tiêu chuẩn về độ tinh khiết trung bình và cao của cation là dưới 10 phần triệu và 100 phần tỷ được kiểm soát bởi Máy phổ khối lượng plasma cảm ứng (ICP-MS). Lọc cao cấp dùng công nghệ màng lọc 0.2 micron và Máy đếm hạt dung dịch quang học (OLC) kiểm soát mật độ hạt trong hóa chất, cho phép số hạt ít hơn 1,000 hạt / ml và 10 hạt / ml ứng với độ tinh khiết lần lượt là trung bình và cao.
Điền đầy rãnh và via độ tin cậy cao và không có lỗ khuyết
Hệ thống Everplate 3 thành phần phụ gia hữu cơ bao gồm accelerator, suppressors và levelers cho khả năng điền lỗ cao đối với cấu trúc có tỷ lệ chiều dày/ đường kính lỗ (AR) cao. Các phụ gia được thiết kế để tăng cường khả năng điền lỗ từ đáy lỗ lên cho phân bố chiều dày mạ đồng đều với độ điền dư (overburden) tối thiểu cho san phẳng cơ hóa (Chemical Mechanical Planarization CMP).
Đặc điểm và tính ưu việt
Hóa chất Everplate và các giải pháp quá trình được thiết kế đáp ứng yêu cầu nghiêm ngặt đối với quy trình Damascene và mạ đồng. Để tối ưu hóa tỷ lệ thành phẩm và công suất, quy trình có độ tin cậy cao và ổn định cần có các đặc tính sau:
- Khả năng điền đầy khe hở và không sinh lỗ khuyết cho cấu trúc có tỷ lệ chiều dày / đường kính lỗ (AR) cao (< 5:1)
- Phân bố độ dày đồng đồng đều, 3% (3σ)
- Mật độ lỗi sau san phẳng cơ hóa (post CMP) thấp
- Điện trở và tái cấu trúc tinh thể với ứng suất nội thấp
- Điện trở suất và điện trở tiếp xúc thấp
- Đặc tính Electro-migration (EM) và stress migration (SM) tuyệt vời



