Công nghệ bản nền IC

Trong thời gian tới, sản lượng bản nền IC Substrate hàng năm ước tính đạt 200 tỉ đơn vị. Xu thế tích cực trên nhờ vào nhu cầu của khách hàng về các gói công nghệ tiên tiến ngày càng tăng. Bao gồm công nghệ bộ wafer-level (WPL), gói chồng xếp, hệ thống chọn gói (SIP), hệ thống trên gói (SOP) và nhiều công nghệ khác.

 Bản nền: PGA, BGA, FBGA và DSBGA gắn trên bản nền. Các bản nền này thay thế khung chì như màng ngăn cách giữa chíp trần và bo mạch. Chất nền có thể được làm từ nhiều nguyên liệu bao gồm nhựa BT, FR-4, FR-5, sứ, băng dính dẻo polyimide. Chất nền thường có các lọai bi hay chân chốt nằm ở mặt dưới của tấm gắn với bo mạch. 

Ngày nay, công nghệ nền đạt bước tiến nhờ việc sử dụng in công nghệ litô hay in trực tiếp bằng laze. Mặc dù việc này đã cho phép tạo hình ổn định hình học tới dưới 20µm về độ rộng tín hiệu và khoảng cách đường dẫn, nhưng vấn đề cơ bản về không gian hiệu dụng trong trục 3D và đặc tính điện học vẫn chưa được giải quyết thỏa đáng. Thậm chí việc sử dụng lỗ khoan laze mù hòan tòan đã được đáp ứng cho sản xuất hàng loạt vẫn không giải quyết được vấn đề giảm kích thước 3 chiều của footprint trên tấm nền với việc không làm thay đổi đặc tính và sự bảo tòan dòng điện.

Hiện tại, một phương pháp sản xuất bản IC mới đã được nghiên cứu và triển khai bởi Atotech và đối tác phát triển của chúng tôi. Việc này không chỉ cho phép thu nhỏ tín hiệu đến 10µm mà còn là cơ hội lớn để giảm thiểu số lớp cho thiết kế hiện tại mà không làm thay đổi tính bảo tòan điện học và các đặc tính của bộ IC.Sứ mệnh công nghệ tiên tiến và giải pháp sản xuất mới là mục tiêu chính của Atotech và toàn thể nhân viên trên toàn thế giới.

Để sử dụng kiến thức chuyên sâu của chúng tôi để hỗ trợ sản xuất tấm IC cho các ngành công nghiệp, xin liên hệ với chúng tôi tại bất kỳ thời điểm nào, để thảo luận về quy trình mới của chúng tôi cũng như công nghệ sản xuất cho yêu cầu đặc biệt của bạn.


Tìm hiểu thêm về