Führende Desmear-, chemisch Kupfer-

 

und Direktmetallisierungsverfahren

Unsere Produktübersicht

Desmear und Direktmetallisierung

Integrierte Nass-Chemie-Lösungen für alle Schlüsselmärkte inklusive Chipträger, HDI/MLB und Flex/Starr-Flex

Fakten im Überblick

  • Weltweiter Marktführer für horizontale High-End HDI-Anwendungen
  • Weltweite Referenzen für Desmear-Prozesse in allen Marktsegmenten
  • Über 100 Vertikal- und 230 Horizontal-Anlagen mit unseren chemisch Kupfer-Verfahren im Einsatz

Anwendungen

  • Desmear
  • Horizontale chemisch Kupfer-Verfahren
  • Vertikale chemisch Kupfer-Verfahren
  • Direktmetallisierung
  • Metallisierung von Glassubstraten

Produktübersicht

Desmear
direct plating desmear

Unkaschierte Leiterplatte von Ajinomoto – vor und nach dem Desmearing (1.000fach vergrößert)

  • Atotechs fortschrittliche Desmear-Produktserien Securiganth® MV für vertikale Anwendungen und Securiganth® SAP für horizontale Anwendungen erzielen herausragende Reinigungs- und Aufrauungsergebnisse auf unkaschierten Leiterplatten. Diese Verfahren repräsentieren den Industriestandard für High-End Chipträger basierend auf der Semi-Additive-Prozesstechnologie (SAP).
  • Securiganth® P und Securiganth® E: Die Produkte der Securiganth® P- und Securiganth® E-Serie sind perfekt geeignet für das horizontale und vertikale Desmearing für HDI-, MLB- und Starr-Flex-Anwendungen. Atotech ist der führende Anbieter von horizontalen Desmear-Chemieprodukten und –Anlagen für die moderne HDI-Produktion.
  • Oxamat: Atotechs produktionserprobtes Regenerationssystem Oxamat reduziert die Braunsteinbildung (MnO2) während des Desmear-Prozesses deutlich. Das Oxamat-System regeneriert das Manganat zu Permanganat und unterbindet somit die Schlammbildung. Zusätzliche Chemiedosierungen sind in diesem Fall nicht erforderlich. Außerdem verkürzt das Oxamat-System die Wartungsdauer um die Hälfte, da weniger Reinigungszyklen und Neuansätze durchgeführt werden müssen.

Horizontale chemisch Kupfer-Verfahren

Sehr hohe Abscheiderate und Streufähigkeit trotz herausfordernder BMV Geometrie

  • Das chemisch Kupfer-Verfahren Printoganth® SAP Plus erzielt in Kombination mit dem Uniplate® LB Touchless Transport System (TTS) eine gleichmäßige Oberflächenbeschichtung mit herausragender Streufähigkeit auf unbehandelten Leiterplatten für SAP-Technologien
  • Printoganth® P Plus: der Printoganth® P Plus-Prozess gewährleistet aufgrund seiner herausragenden Eigenspannung eine sehr gute Haftung ohne Blistering auch auf den glattesten Oberflächen. Printoganth® P Plus ist daher das perfekte Verfahren für die Flex-/Starr-Flex-Produktion sowie die MLB-/HDI-Fertigung auf anspruchsvollen Basismaterialien wie PTFE oder BT. Darüber hinaus ist Printoganth P Plus aufgrund seines großen Prozessfensters ideal geeignet für Chipträger basierend auf kupferkaschierten MSAP oder AMSAP-Technologien.
  • Printoganth® U Plus ist die Weiterentwicklung von Printoganth® U und erzielt exzellente Kupfer-an-Kupfer-Verbindungen mit höchster Zuverlässigkeit auch nach mehreren Lötschock Zyklen. Printoganth® U Plus ist das ideale Verfahren für die Produktion von mehrlagigen Leiterplatten und fortschrittlicher HDI-/ELIC-Technologie. Der Erfolg spricht für sich: Mit Printoganth® U Plus wird ein Durchsatz von über 25 Millionen m² Zuschnitt pro Jahr erreicht, und die Referenzliste beinhaltet namhafte HDI-Hersteller insbesondere aus Taiwan und China.

Vertikale chemisch Kupfer-Verfahren
Printoganth® MV TP1

Printoganth MV TP1

  • Printoganth® MV TP1 und Printoganth® MV Plus: Printoganth® MV TP1 bietet die höchste Streufähigkeit in Blind Micro Via und ihre Wedges. Dadurch werden ultrafeine Leiterbahnen mit Abständen von 10 µm und weniger ermöglicht. Darüber hinaus wird eine exzellente Haftung von Trockenresisten auf der stromlosen Kupferschicht erreicht und diese Kupferschicht kann zudem sehr schnell geätzt werden. Printoganth® MV TP1 erfüllt somit die anspruchsvollen Anforderungen der Chipträgers-Hersteller mit SAP-Technologie. Das umfangreiche Produktportfolie für IC-Substrates wird somit um ein weiteres Verfahren ergänzt, das aufgrund der hohen Badaktivität sowohl für die Beschichtung von kupferkaschierten aber auch unkaschierten Substraten geeignet ist. Für eine automatische Prozessüberwachung mit konstanter, zuverlässiger Prozessleistung bei maximaler Produktionssicherheit bietet Atotech spezielle Zusatzgeräte an.
  • Printoganth® PV: Printoganth® PV ist ein langsamer bis mittelschneller Kupferprozess mit einer herausragenden Eigenspannung für eine blisterfreie Kupferabscheidung auf den anspruchsvollsten Basismaterialien. Printoganth® PV ist ein vielseitig einsetzbares Verfahren für die Massenproduktion von MLB-, HDI- sowie die Flex-/Starr-Flex-Technologie.
  • Noviganth® LS Plus: Noviganth® LS Plus ist ein massenproduktionserprobtes vertikales Kupfer-Verfahren, für eine stabile und kosteneffiziente Produktion mit langsamen bis mittelschnellen Verfahren für MLB- und HDI-Technologien. In Kombination mit unseren fortschrittlichen vertikalen Desmear-Prozessen gewährleistet Noviganth® LS Plus maximale Prozessleistung bei minimalen Kosten.

Direktmetallisierung
Typical BMV plating results with Ecopact CP (100/75 μm, FR4 after flash plating)

Mit Ecopact CP beschichtete BMVs (100/75 µm, FR4 nach Flash Plating)

  • Ecopact® und Ecopact® CP E: Ecopact® CP ist ein bewährtes, Direktmetallisierungsverfahren basierend auf leitfähigen Polymeren und kann sowohl in Horizontal-als auch Vertikalanlagen eingesetzt werden. Aufgrund geringer Chemieverbräuche und Abwassermengen sowie den Verzicht auf gefährliche Inhaltsstoffe wie Zyanid oder Formaldehyd ist Ecopact® die nachhaltige Alternative zu konventionellen chemisch Kupfer-Verfahren für die HDI-, MLB-, Flex- und Starr-Flex-Produktion. Für die Produktion mehrlagiger Leiterplatten ist der kostengünstige Ecopact® CP E die wirtschaftlichste Lösung.
  • Neopact®: Neopact® ist ein mit organischen Verbindungen stabilisiertes Verfahren auf Palladiumbasis und kann auf nahezu jedem Basismaterial abgeschieden werden. Sogar auf Teflon gewährleistet Neopact® ein exzellentes Zuwachsverhalten und wird somit zur idealen Wahl für die Beschichtung von HDI-, MLB- und Flexanwendungen mit exotischen Basismaterialen. Dieser umweltfreundliche und einfach zu führende Prozess ist die zukunftsorientierte Alternative zu konventionellen chemisch Kupfer-Verfahren und kann sowohl in horizontalen als auch vertikalen Anlagen angewandt werden.

Metallisierung von Glassubstraten
TeloTech TS Black

Oben: Original-Kupferoberfläche Unten: mit TeloTech® TS Black geschwärzte Kupferoberfläche

  • CupraTech® TS und TeloTech® TS Black – Metallisierung von Touch-Sensoren auf Basis von Kupferstrukturen: transparente Indium-Zinn-Oxid-basierte Schichten (ITO-Technologie) sind die derzeit am häufigsten in Touchsensoren verbaute Technologie. Es sind verschiedene Technologien auf dem Markt verfügbar, um flexible und großformatige Touchsensoren zu beschichten. Dies ist mit der ITO-basierten Technologie nicht möglich. Atotech bietet für solche Zwecke eine der vielversprechendsten Technologien an. Basierend auf Kupferstrukturen als leitfähige Schicht ermöglicht CupraTech® TS die chemische Verkupferung verschiedener Oberflächen, während TeloTech® TS Black die visuelle Wahrnehmung der Leiterbahnen minimiert.
  • CupraTech® FPD – Metallisierungsprozesse für die Herstellung von Flachbildschirmen: Die gegenwärtige Metallisierungstechnologie für Dünnschichttransistoren (TFT) in Flüssigkristall-Bildschirmen (LCD) ist ein klassisches PVD-Verfahren. Atotech bietet mit dem chemisch Kupferverfahren eine Alternative zum PVD-Verfahren und den damit einhergehenden Nachteilen wie Verbiegen durch internen Stress der gesputterten Kupferschicht, die auf einem Glassubstrat aufgebracht wird. Ein zusätzliches Risiko besteht im potentiellen Glasbruch. Zusätzlich kann das chemisch Kupferverfahren als dicke Kupferschicht mit ausreichender Leitfähigkeit abgeschieden werden, um die zukünftigen Marktanforderungen zu erfüllen. CupraTech® ist ein schnell abscheidender Prozess mit exzellenter Oberflächenverteilung und geringer Oberflächenrauigkeit – beides sind Schlüsselanforderungen für diese Anwendung. Atotech bietet nicht nur die Chemie sondern auch umweltfreundliche Anlagentechnologien in Form von horizontalen VisioPlate®-Durchlaufanlagen, die speziell auf diese Anforderungen angepasst sind; insbesondere den sicheren Transport von extrem dünnen, großformatigen Glaspanels.

Uniplate® P/LB

Modernste Produktionsanlagen für Desmear und chemisch Kupferprozesse in horizontalem Transportmodus

Das Uniplate® P/LB-Anlagensystem ist die marktführende Anlagentechnologie für High-End HDI-Anwendungen sowie die Chipträger-Produktion.

  • Uniplate® P – zuverlässiges und stabiles Desmear-Verfahren für Durchkontaktierungen und Blind Micro Via mit gleichbleibenden Prozessbedingungen
  • Uniplate® LB – gleichmäßige chemisch Kupferbeschichtung mit exzellenter Streufähigkeit dank der einzigartigen Flutungssysteme für optimalen Lösungsaustausch

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“Wir investieren kontinuierlich in die Forschung und Entwicklung unserer Schlüsseltechnologien, um unsere technologische Führungsposition auszubauen und unsere Prozesse noch umweltfreundlicher zu gestalten.”

Lars-Eric Pribyl, Global Product Manager Desmear and Metallization, Atotech Deutschland

Veröffentlichungen

Einfluss von Wasserstoff auf die Blasenbildung in chemisch Kupferschichten

2015, PDF, 2.250 KB
Dieser Artikel wurde im Original publiziert in der Zeitschrift „Journal of Microelectonics and Electonic Packaging“.
Die chemische Verkupferung ist der Kernprozess, um elektrisch leitende Schichten auf nichtleitenden Oberflächen für die anschließende Verkupferung von Leiterplatten abzuscheiden. Einige Basismaterialien neigen zu spontaner Schichtablösung (Blistering / Blasenbildung) der chemisch Kupferoberfläche während der Abscheidung. Dieses Fehlerbild kann durch höhere Nickelkonzentrationen im chemisch Kupferbad verhindert werden, da der interne Stress in der Kupferschicht zunimmt. Mittels der Einlagerung von Kleinstmengen Nickel an den Korngrenzen und Übergängen wird die Kupfer-Eigendiffusion und somit die interne Stresszunahme verhindert.

Eigenschaften der chemisch Kupferoberflächen optimiert für die horizontale Beschichtung in Abhängigkeit der Schichtdicke

2015, PDF, 1.520 KB
Dieser Artikel wurde im Original publiziert in der Zeitschrift „Microelectronic Engineering“.
Die Eigenschaften von chemisch Kupferschichten, die mittels horizontaler Kupferelektrolyten abgeschieden wurden, sowie die bevorzugte Technologie für Massenproduktion werden beschrieben. Die Schichtdicke, Basismaterialien und Arbeitsbadtemperatur wurden verändert. Eine gleichmäßige Kupferschicht wird durch Verändern der optischen und spektroskopischen Beschaffenheit erreicht.

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