MultiPlate®
下世代封裝技術的創新電鍍設備MultiPlate
超高速電鍍
高產出
無塵室等級 5
MultiPlate®是基於為下一世代的封裝技術 帶來無與倫比的電鍍效能及滿足嚴格的需求所開發. 相容性是非常重要的而MultiPlate可以搭配各重不同的晶圓尺寸及厚度,面板及不同的電鍍液及基板,包括矽及玻璃
- 先進的液流系統
- 不可溶陽極
- 溶銅系統
- 可程式化的機械攪動
- 多功能的整流器
- 模組化設計方便保養
- 無塵室等級5的包覆式環境
銅柱電鍍（Cu Pillar）
雙面電鍍
通孔填孔(THF)
搭配我們高純度藥水提供新穎的電鍍方式 MultiPlate®補足我們半導體的產品組合使其得到最佳結果-較高的產出,快速的沉積速率及優化的生產效率.
- 高速銅電鍍
- 優越的均勻性, 共平面性(Coplanarity), 總厚度變異值(TTV).
- 高純度銅沉積
- 均勻一致的晶粒結構
- 絕佳的無空洞(voiding)表現
雙面電鍍
雙面電鍍為理想內埋元件的解決方案用來都加信賴性效能並提供更高的整合力及降低生產成本。
- 厚銅沉積
- 可同時進行不同結構的雙面電鍍
- 無翹曲
- 良好的均勻性
- 縮短製程時間
- 降低成本(Cost of Ownership)
通孔填孔(THF)
通孔填孔為一可行的替代方案用於取代中介層(interposer)製造用於較大矽穿孔的方式,其應用在MEMS和CMOS 影像感測器上
- 減少製程步驟
- 專利的X bridge機制填孔
MultiPlate®為下世代封裝技術的創新電鍍系統，旨在應付目前及未來先進封裝技術的挑戰, 以發擇最佳效能
基於更彈性研發及高端的應用及生產, MultiPlate®可以根據不同的需求如通孔填孔(THF),單/雙面電鍍在銅柱(Pillar)及導線重新分佈層 (RDL)和終端結構上電鍍
我們為什麼發展MultiPlate®
你的挑戰
當元件尺寸持續微縮,半導體封裝技術不斷面臨挑戰為了要提供更高的效能,更多的功能及更低的成本
我們的解決方案
MultiPlate®為下一世代的高速電鍍設備，提供多種功能性的以應付目前及未來先進封裝技術的挑戰
电影
MultiPlate®
下世代封裝技術的創新電鍍設備
图片库
MultiPlate®
Through hole filling
Pillar plating
Double side plating