Endoberflächen
Lösungen für schwierige Anforderungen wie bleifreies Mehrfachlöten mit unserem Komplettprogramm an Endoberflächen für Package-Substrate und Leiterplatten
Fakten im Überblick
- Höchster Marktanteil bei Endoberflächen weltweit
- Komplettes Portfolio an Endoberflächen
- Produktionserprobte, bleifreie Verfahren
- OEM-fokussierte Entwicklung
Anwendungen
- ENIG / ENEPIG
- EPAG
- Chemisch Zinn
- OSP
Produktübersicht
Chemisch Nickel/Gold (ENIG)
Verbesserte Nickel/Gold Beschichtung mit Aurotech® Plus
- Aurotech® Plus: Ein von Atotech optimiertes ENIG-Verfahren, das speziell für die Highend-HDI-Fertigung entwickelt wurde. Es überzeugt durch eine deutlich reduzierte Nickelkorrosion, eine minimierte Wildabscheidung sowie eine ausgezeichnete Kompatibilität mit Lötstoppmasken und Basismaterialien. Aurotech® Plus bietet dem Anwender Kostenersparnisse durch eine verlängerte Badlebensdauer, exzellente Schichtdickenverteilung und Prozesssteuerung.
- Aurotech® HP: Ein ENIG-Prozess, der speziell für die hohen Anforderungen der Mobiltelefonhersteller hinsichtlich Korrosionsbeständigkeit entwickelt wurde. Seine hochphosphorhaltige Nickelschicht ist gegenüber aggressiven Umweltbedingungen beständiger als konventionelle Nickelschichten mit mittlerem oder niedrigem Phosphorgehalt. Das Verfahren ist bei den Marktführern der Mobiltelefonindustrie für die Großserienfertigung qualifiziert.
- AuNic®: Ein 1:1-Ersatzprozess für bestehende ENIG-Anlagen. AuNic® besteht aus fünf Prozessschritten: Reinigen, Mikroätzen, Aktivierung, chemisch Nickel und chemisch Gold. Einer der großen Vorteile von AuNic® ist die Einführung des Additivs AuNic® EN C, das beim Neuansatz und nach Produktionsunterbrechungen hinzugefügt wird und damit ein Dummy-Plating überflüssig macht.
- Aurotech® Flex M: Ein e’less Nickelprozess mit mittlerem Phosphorgehalt, der sich, mittels speziell entwickelten Abscheide-charakteristiken, durch hervorragende Biegeeigenschaften auszeichnet. Er zeigt sowohl bei ENIG- als auch bei ENEPIG-Schichten bezüglich Biegeeigenschaften sehr gute Ergebnisse. Eine lange Badstandzeit bei geringen Beladungsfaktoren unterstreichen die hervorragenden Eigenschaften für moderne Flex –Anwendungen.
Chemisch Nickel/Palladium/Gold (ENEPIG)
Aluminium Drahtbond-Verbindung auf einer Universal Finish® Beschichtung
- Universal ASF®:: Universal ASF ist mittels Palladium ein multifunktionaler Endoberflächenprozess. Anstatt dicke Goldschichten für eine gute Zuverlässigkeit einzusetzen, bietet Atotech Bäder für die Abscheidung von Pd-P- als auch Reinpalladiumschichten an, die marktführende stabile Eigenschaften haben. Der Prozess verhindert sowohl Nickel Wildwuchs als auch “Skip-Plating“. Der Prozess zeigt eine sehr gute Stabilität und minimierte Nickelkorrosion bis 10 MTO Badstandzeit. Universal ASF kann auch mit semi- auto-katalytischen Goldelektrolyten (ENEPAG) kombiniert werden.
- Universal Finish SolderBond®: Für Leiterplatten und Anwendungen, die höchste Prozesssicherheit erfordern. Abhängig vom Prozessschritt können drei Endoberflächen bereitgestellt werden. Die Palladiumschicht ist vollkommen rein. Phosphor wird nicht mit abgeschieden. Leiterplattenhersteller können das Verfahren wählen, das für sie am besten geeignet ist, denn das bestehende Aurotech®-Verfahren CNN ENIG kann zu einem ENEPIG-Verfahren auf- bzw. umgerüstet werden.
Chemisch Palladium Autokatalytisch Gold (EPAG)
Kupfer-Drahtbond auf EPAG
- PallaBond®: Neues direktes Palladium-Endoberflächenveredelungs-Verfahren mit einer optionalen Goldschicht. Das Pallabond®-Verfahren ermöglicht die direkte Palladiumabscheidung auf Kupfer ohne den Einsatz von Nickel und bietet im Vergleich zu ENEPIG eine zwei- bis dreimal höhere Produktivität aufgrund kürzerer Abscheidezeiten.
Weitere Vorteile:
- Ermöglicht Drahtbonden mit Kupfer-, Kupfer-Palladium-, Gold- und Silberdraht
- Schichtdicken <0,2 µm ermöglichen sehr feine Leiterbahnbreiten/-abstände
- Geringerer Wasserverbrauch durch einfacheres und kürzeres Verfahren
- Geringerer Energieverbrauch dank niedriger Prozesstemperaturen
- Kein Nickelabfall
Chemisch Zinn
Funktionelle High Volume Beschichtung
- Stannatech® 2000 H und V: Der Industriemaßstab für Chemisch-Zinn-Oberflächen für bleifreies Mehrfachlöten und Einpresstechnologien. In der Elektronik-Industrie ist chemisch Zinn als zuverlässige Oberfläche sowohl für Leiterplatten als auch für IC-Substrate anerkannt. Das führende Chemisch-Zinn-Verfahren kombiniert chemische Verfahren mit Systemtechnologie für horizontale und vertikale Anlagen.
- Stannatech SF 8 H and V®: Stannatech SF 8 wurde speziell dafür entwickelt, ein optimiertes Spülergebnis mittels reduzierter Viskosität des Prozesselektrolyten zu erzielen. Hinzu kommen noch eine reduzierte Auflösung des Kupfers und ein geringerer Angriff auf die Lötstoppmaske. Der neue Prozess beinhaltet die marktführende Geschwindigkeit und qualitative Sicherheit, welche von den Atotech angebotenen Immersion Zinn Oberflächen erwartet wird.
- Stannatech IC®: Ein für “Package Substrate“- Anwendungen neuentwickelter Immersion Zinn Elektrolyt. Der Prozess reduziert den Angriff auf die Lötstoppmaske und die Auflösung des Kupfers, was zu einer minimierten Unterwanderung führt. Stannatech IC zeigt im Vergleich zum Stannatech 2000 Prozess bezüglich Schaum-bildung und Spülbarkeit verbesserte Eigen-schaften und kann mit den Stannatech Beistellgeräten (ConStannic und Crystallizer) betrieben werden.
- Stanna-Q®: Chemisch-Zinn-Verfahren für QFN-Anwendungen (Quad Flat No Leads Package). Mit dem Verfahren werden die freiliegenden Kupferflanken der QFN-Packages mit chemisch Zinn bedeckt, um eine Lötleiste während der Montage zu erzeugen.
- Stanna-COF®: Chemisch-Zinn-Elektrolyt für Flexmaterial wie beispielsweise Chip-on-Film. Stanna-COF® wird zusammen mit Atotechs, im Markt einzigartigen, Bestellgeräten eingesetzt. Das garantiert unseren Kunden maximale Produktivität bei minimierten Chemikalienverlusten. Neben einem enormen Kosteneinsparungspotenzial sorgt die Minimierung von Whiskern auch für beste Qualität.
Organische und lötfähige Endoberfläche (OSP)
- OS-Tech®: OS_Tech ist eine für Hoch-temperatur Anwendungen geeignete Endoberfläche, die bei mehr als 5 Reflow-Zyklen konstante Schichtdicken und Löt- eigenschaften zeigt. Das speziell für den Prozess entwickelte “Micro Etch System“ erzeugt eine feine und glatte Oberfläche, um eine gleichmäßige Verteilung der organischen Schicht zu gewährleisten. Die beschriebenen Vorteile können alle mit einem einstufigen Prozessschritt erreicht werden.
Produkthighlights
Aurotech® G-Bond
Semi-autokatalytische Gold-Abscheidung für höchste Zuverlässigkeit beim Bonden
Aurotech® Plus
Eine ENIG-Prozesslösung, die exklusiv für die moderne HDI-Produktion entwickelt wurde
PallaBond®
Die High-end-Oberfläche der Zukunft für Fine-Line- und Hochfrequenz Anwendungen
Stannatech®
Das marktführende horizontale Chemisch-Zinn-Verfahren
Horizon Stannatech® 2000
Das marktführende Chemisch-Zinn-Verfahren für die Automobilindustrie mit mehr als 10 Mio. m² beschichteter Oberfläche pro Jahr
Stannatech® 2000 bietet eine einzigartige Kombination aus chemischem Verfahren und modernster Anlagentechnik – alles aus einer Hand.
- Stannatech® 2000 ist ein für die Großserienproduktion erprobtes Verfahren und von den führenden Herstellern der Automobilindustrie zugelassen
- Stannatech® 2000 ermöglicht in Kombination mit den Zusatzsystemen Crystallizer™ und ConStannic™ eine im Markt unvergleichliche Prozesssteuerung und Produktionskapazität (m²/l)
- Die Erfahrung mit Stannatech® 2000 hat zur Entwicklung der Chemisch-Zinn-Verfahren für die IC-Substrat- und QFN-Produktion beigetragen: Stannatech® IC bzw. Stanna-Q®
- Chemisch Zinn ist außerdem eine kostengünstige Option für den wachsenden Wearables-Markt
““We offer the market final finishes that are systematically and statistically developed whilst reflecting the current requirement for technology based solutions. Specific cost and reliability requirements are all factored into our portfolio.“
Gustavo Ramos
Global Product Director Final Finishing bei Atotech Deutschland
Aktuelle Veröffentlichungen
Entwicklung eines High-Performance-Chemisch-Nickel/Gold-Verfahrens zur Maximierung der Höchstzuverlässigkeit
Aktuelle Anforderungen an die Höchstzuverlässigkeit erfordern ein besonders leistungsstarkes Chemisch-Nickel/Gold-Verfahren (HP ENIG). Die neue IPC-Spezifikation 4552B hat den Fokus der Branche im Hinblick auf die Nickelkorrosion neu ausgerichtet. Es konnte eindeutig nachgewiesen werden, dass HP ENIG in der Lage ist, die Anforderungen dieser Spezifikation zu erfüllen. Es bietet eine deutlich bessere Lötbarkeit gegenüber MP ENIG bei ähnlichen Goldschichtdicken, was zu enormen Kostenvorteilen für HP ENIG führen kann. Des Weiteren tragen eine zuverlässigere Lötverbindung, insbesondere nach mehreren Reflow-Zyklen, und ein optimiertes Bruchverhalten beim Aluminiumdrahtbonden zu seiner hervorragenden Leistung bei. Zudem erweist sich die amorphe Struktur sowie das elektrochemisch edlere Verhalten des HP Ni als die beste Wahl gegen die Einwirkung korrosiver Medien wie Goldtauchbäder und/oder eine korrosive Umgebung.
2018, PDF, 2,000 KB
Wie Produktionsschwierigkeiten im Zusammenhang mit Rückständen auf Lötstoppmasken durch einfache betriebliche Anpassungen vermieden werden können
Das Aufbringen der Lötstoppmaske ist einer der entscheidenden Faktoren, um ein erfolgreiches Auftragen der Endoberfläche sicherzustellen. Dies ist der letzte chemischen Prozessschritt der Leiterplattenfertigung und verleiht den Panels den maximalen Wert. Sie können anschließend jedoch nicht mehr nachbearbeitet werden. Mängel werden nicht toleriert, auch wenn sie nur äußerlich sind. Qualitätsprobleme führen oft zu „Ping-Pong-Gesprächen“ zwischen Herstellern, den Zulieferern der Lötstoppmasken und den Lieferanten der Endoberflächen. Ohne handfeste Belege sind diese Diskussionen schwer zu lösen, doch die Endoberflächenbeschichtung wird in der Regel als ursächlich angesehen. Lötstoppmasken, die in der Praxis als „kritisch“ eingestuft wurden, sind nach Stand der Technik mit Hilfe modernster Technologien getestet worden, um ggf. eine Identifikation von “Markern“ ( Komponenten), die den nachfolgenden chemischen Prozess negativ beeinflussen können, zu ermöglichen.
2017, PDF, 1,000 KB
