Technologie für die Leiterplattenproduktion

und Package Substrate-Industrie

Unsere Produktübersicht

Oberflächenbehandlung

Produktionslösungen für die Leiterplattenproduktion und Package Substrate Industrie

Fakten im Überblick

  • Weltweiter Marktführer im Bereich I/L-Haftvermittlung
  • Spezielle Kupfervorbehandlungen
  • Fortschrittliche Haftvermittler und Ätzlösungen für die Package Substrate Industrie
  • Photoresist Strippen optimiert für die Feinleiterbahn-Produktion

Anwendungen

  • Haftvermittlung
  • Fortschrittliche Oberflächenbehandlung
  • Photoresist Stripping
  • Leiterplatten- und Package Substrate-Anwendungen

Produktübersicht

Haftvermittlung

Nanostruktur aus NovaBond® IT

  • NovaBond® IT: Ein ätzfreier Haftvermittler, der eine zuverlässige mechanische Haftung für IC-Substrates und Hochfrequenzmaterialien fördert. Der NovaBond® IT-Prozess bietet auch eine gute thermische Zuverlässigkeit und ist auch kompatibel mit Lötstopplacken. Aufgrund seiner nicht-ätzenden Eigenschaft zeigt es signifikante Vorteile bei der Signalintegrität, insbesondere bei Hochfrequenzanwendungen.
  • Multibond®: Dieser Black-Oxide-Prozess kann in einem weiten Arbeitsfenster von Temperaturen und Verweilzeiten betrieben werden, um abhängig von den spezifischen Anwendungen eine Vielzahl von Hafteigenschaften zu erzielen.
  • BondFilm®: Atotechs einfache und kostengünstige Alternative zu Oxidverfahren für eine verbesserte Bonding-Eigenschaften der Innenschicht. Mit über 400 Anlagen und Installationen weltweit ist Atotech führend in diesem Marktsegment und trägt zum Erfolg vieler wichtiger Leiterplattenhersteller bei.

Fortschrittliche Oberflächenbehandlung
Excellent Copper Splash removal using BondFilm LDD SR

Hervorragende Entfernung von Kupferspritzern mit BondFilm® LDD SR

  • EcoFlash®: Innovativer, einstufiger Prozess für Differenz-Ätzen von SAP- und MSAP-Anwendungen für Feinleiterbahntechnologien
  • CupraEtch® DT: Spezielle Vorbehandlung vor dem Photoresistlaminieren, erzielt eine einzigartige Oberflächentopographie speziell für diese Anwendung
  • CupraEtch® SR: Ein sehr robustes Verfahren, geeignet für die Vorbehandlung vor der Laminierung mit Lötstoppmasken. Wie alle CupraEtch®-Verfahren verfügt auch CupraEtch® SR über ein einzigartig hohes Kupferbeladungsfenster, das minimale Wasserverbräuche und somit signifikante Kosteneinsparungen ermöglicht
  • BondFilm® LDD: Das zuverlässige BondFilm®-Verfahren wurde um den BondFilm® LDD Prozess erweitert, der die Oberfläche auf eine maximale CO2-Laser-Absorption für die bestmöglichen Laser Direct Drilling-Ergebnisse vorbereitet. Diese verbesserten Laser-Absorptionseigenschaften in konstanten Bohrlochgrößen, führen zu weniger „Kupferspritzern“ und erzeugen eine geringere Unterwanderung als andere LDD-Vorbehandlungs-Verfahren.

Photoresist-Stripping
Superior performance of ResistStrip IC for very fine lines

Einzigartige Produktionsergebnisse mit ResistStrip® IC für sehr feine Leiterbahnen

  • ResistStrip®-Produktfamilie: Mit der umfangreichen ResistStrip®-Produktserie hat Atotech die Lösung für jede Leiterplattenanwendung. Die Produkte basieren auf modifizierten Hydroxyden und Aminolösungen und erzielen verbesserte Stripping-Eigenschaften mit minimaler Korrosion.
  • ResistStrip® IC-Produktfamilie: ResistStrip® IC ist ein nachhaltiges Verfahren für die Feinleiterbahn-Produktion und wurde speziell für die Anforderungen der Chipträger-Industrie entwickelt. Atotech hat den konventionellen Stripping-Mechanismus weiterentwickelt, um den Quellvorgang des Photoresists zu unterbrechen. Somit werden Einschlüsse und Rückstände des Trockenresists in den Leiterbahnabständen vermieden und eine fehlerfreie Weiterbearbeitung der Leiterplatte – z. B. mit SAP-Anwendung – ermöglicht.

Metall-Strippen
Final Result with PallaStrip IC

Oben: Ohne PallaStrip® IC behandelte Oberfläche; Unten: Mit PallaStrip® IC behandelte Oberfläche

  • PallaStrip® IC: Ein cyanidfreier Palladium-Stripper – wird für die Entfernung von Palladiumkeimen eingesetzt. Das Entfernen aller bekeimten Schichten ist unerlässlich für die Feinleiterbahnproduktion, da sie zu unkontrollierten Abscheidungen in nachfolgenden Prozesschritten führen können. Pallastrip ermöglicht eine einfache Prozessführung ohne cyanidische Bestandteile.
  • TinSolv® und SolderStrip®: Atotechs Produktpalette für zwei- und einstufige Metallstripper für saubere und aktive Kupferoberflächen nach dem Metal-Resist-Stripping-Vorgang. Die TinSolv®– (Zinn-Stripper) und SolderStrip®-Verfahren (Zinn-/Blei-Stripper) ermöglichen das komplette und gleichmäßige Strippen von Oberflächen sowie kleinen Bohrlöchern und Durchsteigern.

Direkte Metallabscheidung auf Formharz

Einzelne Chips nach Ni-Beschichtung für konforme EMI-Abschirmung

  • Technologie für die direkte Metallabscheidung auf Formharz: Booster® MR ist ein einzigartiges nasschemisches Verfahren zur Haftverbesserung für die Grundierung von Metallbeschichtungen direkt auf Formharzen. Die direkte Beschichtung mit Formharz ermöglicht Anwendungen für konforme elektromagnetische Interferenz- (EMI-) Abschirmung und „direkte Schaltkreisbildung“ bei Formharzen, wie für FO WLP (FO PoP, FO SiP). Der Booster® MR-Prozess kann mit vereinzelten und streifenbasierten Produkten umgehen, indem Bandträger verwendet werden, um zu verhindern, dass die I / O-Seite von den Beschichtungslösungen angegriffen wird.

Haftvermittler zum Beschichten von Glas

Cu-Strukturierung auf Glaswafer mit VitroCoat GI

  • Haftvermittler für die Glasbeschichtung: Atotechs VitroCoat GI ist ein neuer und innovativer Haftvermittler, der die nasschemische Metallabscheidung auf Glas ermöglicht. Es kann mit einer kurzen, einfachen und kostengünstigen Tauchbeschichtung aufgetragen werden. Der entscheidende Vorteil von VitroCoat GI ist die beispiellose Abdeckung von Durchkontaktierungen mit hohem Seitenverhältnis gegenüber anderen auf dem Markt erhältlichen Prozessen wie PVD.

Horizon® BondFilm

Integrierte Produktionslösung für Haftvermittlung und Oberflächentechnologien

Das Horizon® BondFilm®-Anlagensystem bietet die beste Kombination aus chemischer Beschichtung, Beförderung dünner Basismaterialien und Lösungsaustausch

  • Horizon® BondFilm LDD – einzigartiges Verfahren für die verbesserte CO2-Laseraufnahme auf Oberflächen vor der Laser Direct Drilling-Anwendung bei maximaler Zuverlässigkeit
  • CupraEtch® – einzigartiges und vielseitiges Mikro-Ätz-Verfahren für die bestmögliche Haftung von Leiterbilderstellungsfilmen oder Lötstoppmasken für die Produktion von qualitativ hochwertigen Leiterplatten

Erfahren Sie mehr

Wussten Sie schon?

Atotech bietet fortschrittliche Photoresist-Stripper speziell für die Produktion von Feinleiterbahnen in der Chipträgerindustrie an. Unsere fortschrittlichen Vorbehandlungsverfahren ermöglichen die Vorbehandlung von Lötstoppmasken mit Ätztiefen kleiner 0,5 µm.

Veröffentlichungen

EcoFlash: Neue Generation von verbesserten, isotropischen Ätz-Verfahren

2015, pdf, 680 KB
Beitrag über die Leistung des neu entwickelten EcoFlash-Verfahrens auf Eisensulfat-Basis für SAP- und MSAP-Anwendungen mit Fokus auf Prozessleistung und Feinleiterbahnproduktion im Vergleich zu Wasserstoffperoxid-Ätzverfahren

CupraEtch® FH: New advanced low-etch depth soldermask and photoresist pretreatment

2016, PDF, 1.885 KB
Der Anforderungen der Industrie nach feineren Linien und Zwischenräumen, höherer Signalintegrität und vor allem nach geringen Ätztiefen für die oben beschriebenen DF-, LPIR- und SM-Vorbehandlungen, muss mit den Leistungsanforderungen für die fragliche Anwendung in Bezug auf die OEM-Leistungsanforderungen an das endgültige Panel in Einklang gebracht werden.
In diesem Zusammenhang präsentiert Atotech ein neues Eisen(III)-Sulfat-basiertes Verfahren, CupraEtch® FHTM, das sowohl technisch als auch kommerziell den bestehenden POR-Vorbehandlungschemikalien überlegen ist.

A New Reliable Adhesion Enhancement Process for Directly Plating on Molding Compounds for Package Level EMI Shielding

2015, PDF, 1.400 KB
Die Beschichtung von Compound Moldings ist ein relativ neues Gebiet, das neue Package Designs mit sich bringen könnte. Eine Hauptanwendung ist die konforme EMI-Abschirmung (Package Level Shielding) von ICs. Im Allgemeinen wird die EMI-Abschirmung hauptsächlich durch metallische Dosen durchgeführt, jedoch erhöht diese Technik den Platzbedarf und reduziert die Flexibilität des Komponentenlayouts auf der PCB, die für Handgeräte nicht geeignet wäre.

Electroless and electrolytic copper plating of glass interposer combined with metal oxide adhesion layer for manufacturing 3D RF devices

2016, PDF, 2.550 KB
Mit der jüngsten Kommerzialisierung der Carrier-Aggregation erfordern RF Front-End-Filter eine reduzierte Größe von Induktivitäten und Kondensatoren, während hohe Qualitätsfaktoren beibehalten werden. RF-Multiplexer mit hoher Leistung weisen bei bestimmten Frequenzen eine geringe Einfügungsdämpfung und -unterdrückung auf, die durch Reduzieren der elektromagnetischen Kopplung zwischen Komponenten erreicht werden kann. Um diese strengen Filteranforderungen zu erfüllen, wurden dreidimensionale (3D) RF-Induktor-Kondensator-(LC)-Filter auf Glas-Durchkontaktierung (TGV) und auf einer Glasoberfläche hergestellt. Wir haben erfolgreich die Adhäsionsschicht und die stromlose und elektrolytische Verkupferungstechnologie in den semi-additiven Prozess (SAP) integriert und eine 3D-RF-Front-End-Filtervorrichtung auf 400 μm dicken Glaswafern mit 200 mm Durchmesser sowie 300 mm × 300 mm Glasplatten mit Löcher mit 80 μm Durchmesser aufgebaut.

Fotogalerie

Schreiben Sie uns




Mit der Eingabe Ihrer E-Mail-Adresse erklären Sie sich einverstanden, dass wir Sie kontaktieren.



Output